Mit einer Speicherbandbreite von 256GB/s bietet das 8GB-HBM2-DRAM von Samsung die höchste DRAM-Leistung für viele datenintensive Hochleistungs-Applikationen
Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei fortschrittlicher Speichertechnologie, erhöht das Produktionsvolumen seines 8 Gigabyte (GB) High Bandwidth Memory-2 (HBM2), um dem steigenden Marktbedarf in einer Vielzahl von Applikationen gerecht zu werden. Dazu gehören unter anderem Künstliche Intelligenz (KI), Hochleistungs-Computing (HPC), fortschrittliche Grafik, Netzwerksysteme und Enterprise-Server.
Durch die Erhöhung des Produktionsvolumens der industrieweit einzigen 8GB-HBM2-Lösung, die jetzt verfügbar ist, möchten wir sicherstellen, dass weltweit aktive Hersteller von IT-Systemen eine ausreichende Versorgung für die rechtzeitige Entwicklung von neuen und erweiterten Systemen haben,“ sagt Jaesoo Han, Executive Vice President, Memory Sales & Marketing Team, Samsung Electronics. „Wir werden auch in Zukunft fortschrittliche Produkte mit HBM2-Schnittstelle liefern und zugleich mit unseren globalen IT-Kunden intensiv kooperieren.”
Samsungs 8GB HBM2 bietet die branchenweit höchste HBM2-Leistung, Zuverlässigkeit und Energieeffizienz und unterstreicht damit das Engagement des Unternehmens hinsichtlich DRAM-Innovationen. Von den HBM2- und TSV (Through Silicon Via)-Technologien, die bei den neuesten DRAM-Lösungen verwendet wurden, wurden mehr als 850 für Patente eingereicht oder bereits patentiert.
Das 8GB-HBM2-DRAM besteht aus acht 8 Gigabit (Gb) HBM2-Dies und einen Puffer-Die, die vertikal über TSVs (Through Silicon Via) und Microbumps miteinander verbunden sind. Da jeder Die über 5.000 TSVs enthält, weist ein Samsung 8GB-HBM2-Package über 40.000 TSVs auf. Die Verwendung einer so hohen Anzahl an TSVs (inklusive Ersatzteile) ermöglicht eine hohe Leistung. Erreicht wird dies durch das Wechseln von Datenpfaden auf andere TSVs, sobald eine Verzögerung bei der Datenübertragung auftritt. HBM2 wurde zudem entwickelt, um das Überhitzen ab einer bestimmten Temperatur zu verhindern und somit eine hohe Verlässlichkeit zu garantieren.
Erstmals vorgestellt im Juni 2016 erreicht das DRAM mit HBM2-Schnittstelle eine Datenübertragungsrate von 256GB/s, was mehr als dem Achtfachen eines GDDR5-DRAM-Chip mit 32GB/s entspricht. Mit der doppelten Kapazität von 4GB-HBM2-DRAM bietet die 8GB-Lösung eine noch höhere Systemleistung und Energieeffizienz und stellt somit eine Verbesserung für daten- und leistungsintensive Anwendungen wie maschinelles Lernen, Parallel-Computing und Grafik-Rendering dar.
Indem Samsung der steigenden Nachfrage des Marktes gerecht wird, geht das Unternehmen davon aus, dass seine Massenproduktion des 8GB-HBM2-DRAM bis zur ersten Hälfte nächsten Jahres einen Anteil von über 50 Prozent seiner HBM2-DRAM-Produktion einnimmt.
