Samsung Brand Memory hat für 2024 große News – und schnelle: Im Laufe des Jahres wird die erste 256 GB1 SD Express2 microSD-Karte aus dem Hause Samsung veröffentlicht. Sie liefert beeindruckenden Speed, mit einer sequenziellen Lesegeschwindigkeit von bis zu 800 MB/s. Zudem kündigt Samsung die Einführung des nächsten Kapazitäten-Upgrades für das microSD-Karten Line-up an. Eine neue UHS-1-microSD-Karte bietet, dank V-NAND-Technologie, Speicherkapazitäten von bis zu 1 TB. Nutzer*innen erhalten dadurch differenzierte Speicherlösungen, die den Anforderungen der mobilen Datenverarbeitung von heute und morgen gerecht werden.
„Mit den beiden neuen microSD-Karten bietet Samsung effektive Lösungen für die wachsenden Anforderungen der Nutzer*innen,“ sagt Robert Susak, Product Manager Brand Memory bei Samsung Electronics. „Trotz ihrer winzigen Größe bieten diese Speicherkarten eine SSD-ähnliche Leistung und Kapazität. Das ermöglicht Konsument*innen aktuelle und zukünftige Anwendungen, wie beispielsweise Mobile Computing oder On-device AI, mit zuverlässiger technischer Unterstützung zu nutzen.“
SD Express microSD-Karte: Leistungsstark im Klein-Format
Während die Lesegeschwindigkeiten für herkömmliche, auf der UHS-1-Schnittstelle basierende microSD-Karten auf 104 MB/s begrenzt waren, kann die SD Express Technologie die Lesegeschwindigkeit auf bis zu 985 MB/s steigern.
Erstmalig stellt Samsung seine neue microSD-Karte auf Basis der SD Express-Schnittstelle vor. Mit einer sequenziellen Lesegeschwindigkeit von bis zu 800 MB/s ist sie bis zu 1,4-mal schneller als SATA-SSDs (bis zu 560 MB/s) und bis zu viermal schneller als herkömmliche UHS-1-Speicherkarten (bis zu 200 MB/s). Das ermöglicht ein angepasstes Nutzungserlebnis in verschiedenen Anwendungen, die von PCs bis hin zu mobilen Geräten reichen können.
Dank ihrer stromsparenden Bauweise bietet die SD Express microSD-Karte eine Leistung, die SSDs in klein entspricht. Unterstützt wird die beindruckende Performance durch eine Firmware-Technologie, welche speziell für performanceintensive Anwendungen und Wärmemanagement optimiert ist.
Um eine stabile Leistung und Zuverlässigkeit zu bieten, hält die Dynamic Thermal Guard (DTG)-Technologie die optimale Temperatur der SD Express microSD-Karte aufrecht, und das auch bei längerem Gebrauch.
1 TB UHS-1-microSD-Karte: Viel Platz auf wenig Raum
Dank der acht Schichten der V-NAND Gen 8-Technologie, ist die neue UHS-1-microSD die erste Speicherkarte von Samsung mit einer Speicherkapazität von bis zu 1 TB. Damit diese auch in widrigen Umgebungen zuverlässig funktioniert, verfügt sie über den für Samsung typischen 6-fach Schutz, vor Wasser, extremen Temperaturen, Stürzen, Abnutzung sowie Röntgen- und Magnetstrahlen3.
Verfügbarkeiten
Die SD Express microSD-Karte in 256 GB wird voraussichtlich gegen Ende dieses Jahres erhältlich sein. Die 1 TB UHS-1 microSD-Karte soll im dritten Quartal 2024 auf den Markt kommen. Weitere Informationen zu den neuen Produkten folgen im weiteren Verlauf des Jahres.
11 Gigabyte (GB) = 1.000.000.000 Bytes (1 Milliarde Bytes). Die tatsächlich nutzbare Kapazität kann variieren.
2SD Express: Die neue SD-Kartenschnittstelle mit PCIe Gen3x1 (basierend auf der im Februar 2019 veröffentlichten SD 7.1-Spezifikation), die theoretische Übertragungsgeschwindigkeit einer SD Express-Karte beträgt 985 MB/s3Samsung haftet nicht für Schäden und/oder Datenverluste oder Kosten, die durch die Wiederherstellung von Speicherkartendaten entstehen. Die sechs angegebenen Beweise gelten nur für 1TB UHS-1 microSD-Karten, nicht für 256GB SD Express microSD-Karten. 1M Tiefe, Salzwasser, 72 Std. Betriebstemperaturen von -25℃ bis 85℃ (-13°F bis 185°F), Nicht-Betriebstemperaturen von -40℃ bis 85℃ (-40°F bis 185°F). Widersteht Standard-Flughafen-Röntgengeräten (bis zu 100mGy). Das Magnetfeld entspricht dem eines Hochfeld-MRT-Scanners (bis zu 15.000 Gauss). Hält Stürze aus bis zu 5 Metern Höhe aus (16,4 Fuß). Bis zu 10.000 Durchschläge.
